꿈의 반도체 Fe램 개발길 열어

꿈의 반도체 Fe램 개발길 열어 

플래시메모리 보다 10배 이상 빠른 데이터 저장속도와 10년 이상의 데이터 보관기간, 3~5V의 낮은 전압으로 사용할 수 있어 일명 꿈의 반도체로 불리는 고집적 Fe램(F램) 개발이 한층 앞당겨질 전망이다.

포스텍(포항공대)은 BK21 지식산업형소재시스템사업단 신영한 연구교수가 Fe램에 사용되는 강유전체 도메인의 동역학적 성질을 규명하는데 성공했다고 17일 밝혔다.

이번 연구성과는 세계적 과학저널인 네이처 18일자에 게재된다.

신 교수는 범밀도 함수론과 분자동역학 시뮬레이션 등 다양한 접근을 통해 Fe램 내에서 도메인 벽의 움직임을 밝혀냈을 뿐만 아니라 도메인 벽 주변이 작은 쌍극자가 도메인 벽의 움직임을 원활하게 한다는 사실을 규명해 냈다.

또 Fe램의 메모리 저장과 삭제에 관계되는 도메인 벽에 형성되는 결정의 크기가 1.2nm 정도로 기존의 연구보다 5배 가량 작다는 점과 이 주변의 분극분포의 퍼짐에 따라 도메인 벽 이동에 필요한 에너지가 낮아진다는 사실을 처음으로 밝혀냈다.

이번 연구결과는 Fe램이 메모리를 저장하고 지우는 속도가 기존의 모델보다 훨씬 빠르며 메모리 저장과 삭제시에 사용하는 에너지 역시 기존보다 낮다는 사실을 뒷받침한다는 점에서 의미가 있다고 신 교수는 설명했다.

신 교수는 이번 성과는 기존 Fe램보다 속도가 빠르고 집적도가 높은 메모리를 개발하는데 활용될 것으로 기대된다고 말했다.