차세대 Z램

▶ 차세대 Z램 만든다

하이닉스반도체(대표 김종갑)가 스위스에 위치한 메모리 기술 개발 업체 이노베이티브 실리콘(Innovative Silicon ISI S.A)과 신개념 메모리 반도체인 Z램에 대한 라이선스 계약을 체결했다고 14일 밝혔다.

이번 계약에 따라 하이닉스는 D램 업체로는 처음으로 이노베이티브 실리콘사로부터 Z램에 대한 라이선스를 취득, 제품 개발을 진행하게 된다. 특히 두 회사는 연구 인력을 공동 투입해 제품 개발에 협력하기로 했다.

통상 D램의 기억 소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되지만, Z램은 캐패시터 없이 트랜지스터로만 구성돼 제품 크기는 물론 생산비용까지 획기적으로 줄일 수 있는 차세대 메모리 반도체다.

D램 내부의 각 기억소자는 전하를 담는 역할을 하는 캐패시터와 캐패시터를 여닫는 스위치 역할을 하는 트랜지스터로 이루어져 있으며, 캐패시터가 전하를 담고 있으면 1, 전하를 담고 있지 않으면 0으로 처리되는 방식으로 데이터를 저장한다. 이와 달리 Z램은 실리콘 온 인슐레이터 구조를 이용해 제작된 트랜지스터가 동작할 때 트랜지스터 내부에 불필요한 양전하가 쌓이는 단점을 역이용하여 이를 0과 1상태를 표현하는 것으로, 별도의 캐패시터 없이도 데이터의 저장이 가능한 기술이다.

이에 따라 기억 소자가 차지하는 크기가 크게 줄고 구조도 간단해져 제품 미세화나 고용량화에도 유리해질 뿐만 아니라 제작비용 또한 줄어드는 장점을 가진다.

하이닉스 관계자는 이번 계약에 이어 앞으로도 반도체 산업계 내에서 제휴 및 협력을 지속적으로 확대할 것이라며 점차 다양해지는 소비자들의 요구에 효과적으로 대처하고 변화하는 시장 상황에 적극 대응할 계획이라고 말했다.